快闪记忆卡的封装方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及快闪记忆卡的封装方法，其包含了一形成保护膜的步骤。保护膜的目的是用来保护该电路，而不受移动(movement)和后续射出成型制程中的热源的影响。通过在射出成型中对快闪记忆卡构成密封时，此保护膜可保护电路板上的电路。射出成型步骤用来密封此基板在主体结构中。此保护膜类似于蛋壳内的膜，以及通过射出成型步骤所构成，使得本发明封装方法被称为蛋壳式射出成型(eggshell insert molding，ESIM)。本发明确实能应用于改良已知COB和SMT封装方法。
基本信息
专利标题 ：
快闪记忆卡的封装方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101005040A
申请号 ：
CN200610001550.0
公开（公告）日 ：
2007-07-25
申请日 ：
2006-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘钦栋
申请人 ：
刘钦栋
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
钟晶
优先权 ：
CN200610001550.0
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L21/60 G06K19/07
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2009-08-26 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-09-19 ：
实质审查的生效
2007-07-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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