改善感光集成电路之光子表现之方法
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摘要
本发明提供一种形成在内层介电层(ILD)的导光特征(light－directing feature)，结合抗反射层(AR)，可同时有效增加量子效率与抗扰性，因此改善感光集成电路之光子表现的方法。其步骤包含形成多个光传感器单元在半导体基材上，接着，形成抗反射层在这些光传感器单元上，此抗反射层实质上不会使入射光产生反射，然后，形成内层介电层在此抗反射层之上，其中内层介电层包含形成在其开口的多个导光特征，且这些导光特征位于抗反射层上以及部分光传感器单元之上方。
基本信息
专利标题 ：
改善感光集成电路之光子表现之方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825603A
申请号 ：
CN200610001625.5
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
傅士奇刘源鸿林国楹许峰嘉蔡嘉雄郭景森陈界璋
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
包红健
优先权 ：
CN200610001625.5
主分类号 ：
H01L27/14
IPC分类号 ：
H01L27/14 H01L21/822
法律状态
2008-03-05 ：
授权
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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