基板处理方法、清洗方法、电子设备的制造方法和程序
专利权的终止
摘要
本发明提供一种容易控制绝缘膜表面上的表面损伤层和切削残留等的除去量的电子设备的制造方法。形成低介电常数层间绝缘膜(115)，以覆盖形成晶片(W)上的配线(114)的绝缘膜(113)(B)；在该低介电常数层间绝缘膜(115)上加工形成通孔(118)(C)；在低介电常数层间绝缘膜(115)上形成由铜制成的导电膜(121)，同时，将铜填充至通孔(118)中(F)；利用CMP研磨导电膜(121)，露出低介电常数层间绝缘膜(115)(G)；将表面上有切削残留(116)、反应生成物(117)、残渣和疑似SiO2层(124)的低介电常数层间绝缘膜(115)暴露在氨气和氟化氢气体的混合气体氛围中(H)；再将由疑似SiO2层(124)改质的生成物层(123)加热至规定的温度(I)。
基本信息
专利标题 ：
基板处理方法、清洗方法、电子设备的制造方法和程序
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822327A
申请号 ：
CN200610007478.2
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-02-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
西村荣一岩﨑贤也
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200610007478.2
主分类号 ：
H01L21/3105
IPC分类号 ：
H01L21/3105 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
法律状态
2022-01-25 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/3105
申请日 : 20060214
授权公告日 : 20090107
终止日期 : 20210214
申请日 : 20060214
授权公告日 : 20090107
终止日期 : 20210214
2009-01-07 ：
授权
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
