单靶磁控溅射Cu1－xCr
专利权的终止
摘要
一种薄膜技术领域的单靶磁控溅射Cu1－xCrx合金薄膜的方法。本发明首先把铜板加工成溅射仪要求的铜靶，并按照溅射仪的溅射参数在铜靶的溅射区靶径上钻不同数量和不同直径的圆形或者锥形小孔，并附加以靶材的挡片，同时将铬金属加工成相应尺寸和形状的小棒，并使其与小孔达到紧密配合，铜挡片、靶材和基底经过清洗后先后装入溅射仪，选择溅射功率，调整溅射靶位和溅射参数，制备铜铬合金膜，所述的Cu1－xCrx，x＝1.19～2.37，x为原子百分比。本发明具有能够节省原材料，提高薄膜纯度的特点。且制备工艺简单，能够随时调节合金含量，提高生产效率。
基本信息
专利标题 ：
单靶磁控溅射Cu1－xCrx合金薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1807675A
申请号 ：
CN200610024078.2
公开（公告）日 ：
2006-07-26
申请日 ：
2006-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王新建姜传海洪波王家敏吴建生
申请人 ：
上海交通大学
申请人地址 ：
200240上海市闵行区东川路800号
代理机构 ：
上海交达专利事务所
代理人 ：
王锡麟
优先权 ：
CN200610024078.2
主分类号 ：
C23C14/14
IPC分类号 ：
C23C14/14 C23C14/35 C23C14/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/06
以镀层材料为特征的
C23C14/14
金属材料、硼或硅
法律状态
2013-04-10 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101434729894
IPC(主分类) : C23C 14/14
专利号 : ZL2006100240782
申请日 : 20060223
授权公告日 : 20081217
终止日期 : 20120223
号牌文件序号 : 101434729894
IPC(主分类) : C23C 14/14
专利号 : ZL2006100240782
申请日 : 20060223
授权公告日 : 20081217
终止日期 : 20120223
2008-12-17 ：
授权
2006-09-20 ：
实质审查的生效
2006-07-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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