具有闪速熔丝单元阵列的闪速存储设备

授权

摘要

提供了一种闪速存储设备，包括闪速单元阵列、第一闪速熔丝单元熔断电路、第二闪速熔丝单元熔断电路、第三闪速熔丝单元熔断电路以及多个熔丝感测放大电路。第一、第二和第三闪速熔丝单元熔断电路都与闪速单元阵列共享位线，并具有闪速熔丝单元。第一闪速熔丝单元熔断电路可以用于控制闪速单元阵列和外部逻辑电路之间的连接。第二闪速熔丝单元熔断电路可以用于将有缺陷的单元的地址变成冗余单元的地址。第三闪速熔丝单元熔断电路可以用于控制DC电平，其用以调整在闪速存储设备的生产过程中使用的参考值。熔丝感测放大电路分别与位线耦合，以从位线读取数据。

基本信息

专利标题：

具有闪速熔丝单元阵列的闪速存储设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1822231A

申请号：

CN200610059257.X

公开（公告）日：

2006-08-23

申请日：

2006-02-05

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

金泰成金奎泓

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

黄小临

优先权：

CN200610059257.X

主分类号：

G11C16/02

IPC分类号：

G11C16/02 G11C17/16