在磁头表面形成浅槽的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种在磁头表面形成浅槽的方法，包括如下步骤：将感光物质涂设到磁头上；以255－265mj/cm2的曝光强度对感光物质进行选择性曝光，使感光物质上形成曝光区域；将感光物质烘烤350－370秒；对曝光区域进行显影，使感光区域的感光物质被除去，并将磁头表面暴露于感光区域，显影时间为45－55秒；蚀刻暴露于曝光区域的磁头表面，使磁头表面上形成浅槽；最后除去磁头表面的剩余感光物质。
基本信息
专利标题 ：
在磁头表面形成浅槽的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101030040A
申请号 ：
CN200610059918.9
公开（公告）日 ：
2007-09-05
申请日 ：
2006-02-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄仕军李家豪
申请人 ：
新科实业有限公司
申请人地址 ：
香港新界沙田香港科学园科技大道东六号新科中心
代理机构 ：
广州三环专利代理有限公司
代理人 ：
郝传鑫
优先权 ：
CN200610059918.9
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 G11B5/127
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2011-01-05 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101058508815
IPC(主分类) : G03F 7/20
专利申请号 : 2006100599189
公开日 : 20070905
号牌文件序号 : 101058508815
IPC(主分类) : G03F 7/20
专利申请号 : 2006100599189
公开日 : 20070905
2009-04-01 ：
实质审查的生效
2007-09-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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