包括功率二极管的集成电路
专利权的终止
摘要
一种制造包括功率二极管的半导体集成电路的方法，包括：提供第一导电性类型的半导体衬底；在所述衬底的第一区中制造集成电路如CMOS晶体管电路；并且在所述半导体衬底中的第二区中制造功率二极管。电介质材料在所述第一区和所述第二区之间形成，由此提供所述第一区中的集成电路和所述第二区中的功率二极管之间的电隔离。所述功率二极管可包括通过所述二极管的一个电极全部连接在一起的多个MOS源/漏元件和相关联的栅元件，且所述第二区中的半导体层可起到所述功率二极管的另一源/漏的作用。
基本信息
专利标题 ：
包括功率二极管的集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101151732A
申请号 ：
CN200680002560.4
公开（公告）日 ：
2008-03-26
申请日 ：
2006-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
保罗·常基恩－川·车尔恩普罗扬·高希韦恩·Y·W·赫弗拉基米尔·罗多夫
申请人 ：
迪奥代斯有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨生平
优先权 ：
CN200680002560.4
主分类号 ：
H01L29/00
IPC分类号 ：
H01L29/00
法律状态
2014-03-12 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101576522370
IPC(主分类) : H01L 29/00
专利号 : ZL2006800025604
申请日 : 20060112
授权公告日 : 20111214
终止日期 : 20130112
号牌文件序号 : 101576522370
IPC(主分类) : H01L 29/00
专利号 : ZL2006800025604
申请日 : 20060112
授权公告日 : 20111214
终止日期 : 20130112
2011-12-14 ：
授权
2008-05-21 ：
实质审查的生效
2008-03-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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