包括功率二极管的集成电路
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供了一种在半导体本体中制造集成了功率二极管的集成电路的方法和一种半导体集成电路。该方法包括：在半导体衬底的表面层中形成器件区，其中，器件区由硅壁以及与半导体衬底相邻的衬底层来限定，衬底层具有与表面层的导电类型不同的导电类型；围绕器件区形成电介质材料；形成与器件区绝缘的集成电路区；在集成电路区中制造集成电路，其中，集成电路包括晶体管；在器件区中制造多个MOS源/漏元件和相关联的栅元件；在器件区中形成与该多个MOS源/漏元件和相关联的栅元件接触的第一二极管电极；以及形成从器件区的表面到与衬底层相同导电类型的半导体材料的导电通孔，作为第二二极管电极。
基本信息
专利标题 ：
包括功率二极管的集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN102354685A
申请号 ：
CN201110306850.0
公开（公告）日 ：
2012-02-15
申请日 ：
2006-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
保罗·常基恩-川·车尔恩普罗扬·高希韦恩·Y·W·赫弗拉基米尔·罗多夫
申请人 ：
迪奥代斯有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
康建峰
优先权 ：
CN201110306850.0
主分类号 ：
H01L21/82
IPC分类号 ：
H01L21/82 H01L21/265 H01L27/06 H01L29/06 H01L29/861
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
法律状态
2014-08-27 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101704525930
IPC(主分类) : H01L 21/82
专利申请号 : 2011103068500
申请公布日 : 20120215
号牌文件序号 : 101704525930
IPC(主分类) : H01L 21/82
专利申请号 : 2011103068500
申请公布日 : 20120215
2012-03-28 ：
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101212130475
IPC(主分类) : H01L 21/82
专利申请号 : 2011103068500
申请日 : 20060112
号牌文件序号 : 101212130475
IPC(主分类) : H01L 21/82
专利申请号 : 2011103068500
申请日 : 20060112
2012-02-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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