一种功率集成电路芯片
授权
摘要

本申请提供了一种功率集成电路芯片,涉及半导体技术领域。该功率集成电路芯片包括N型衬底、位于N型衬底四周与底部的P型结构以及位于N型衬底表面的有源区;其中,N型衬底、P型结构以及有源区共同构成单向晶闸管、第一二极管以及第二二极管,且单向晶闸管的长基区与短基区分别与第一二极管、第二二极管连接。本申请提供的功率集成电路芯片具有器件的一致性更好,成本更低的优点。

基本信息
专利标题 :
一种功率集成电路芯片
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020927615.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-05-27
授权号 :
CN211858653U
授权日 :
2020-11-03
发明人 :
张超王成森欧阳潇沈怡东王志超
申请人 :
捷捷半导体有限公司
申请人地址 :
江苏省南通市崇川区苏通科技产业园区井冈山路6号
代理机构 :
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
刘亚飞
优先权 :
CN202020927615.X
主分类号 :
H01L27/02
IPC分类号 :
H01L27/02  H01L29/74  H01L21/332  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-11-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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