带有布置于平面中的前腔室的气体分配器
专利申请权、专利权的转移
摘要

一种用于CVD或OPVD反应器的气体分配器,包括两个或更多的气体空间(1、2),在每个空间中开有用于过程气体的供应管线(3、4),每个气体空间(1、2)都连接到用于各个过程气体的多个出口开口(6、7)上,所述开口出口开在气体分配器的底部(5)中。为了增加气体成分的均质性,两个气体空间(1、2)具有位于共用第一平面(8)的前腔室(10、10’、11),分别与一个气体空间相关联的多个气体分配腔室(12、13)设置在第二平面(9)中,临近气体分配器的底部,每个气体空间(1、2)的前腔室(10、10’、11)和气体分配腔室(12、13)通过连接通道(14、15)连接。

基本信息
专利标题 :
带有布置于平面中的前腔室的气体分配器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101107384A
申请号 :
CN200680003148.4
公开(公告)日 :
2008-01-16
申请日 :
2006-01-05
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
马库斯·莱因霍尔德彼得·鲍曼格哈特·K·斯特劳奇
申请人 :
艾克斯特朗股份公司
申请人地址 :
德国亚琛
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
王冉
优先权 :
CN200680003148.4
主分类号 :
C23C16/455
IPC分类号 :
C23C16/455  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2018-08-03 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C23C 16/455
登记生效日 : 20180716
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 艾克斯特朗欧洲公司
变更后权利人 : 欧根厄斯股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 德国黑措根拉特
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
2018-08-03 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C23C 16/455
变更事项 : 专利权人
变更前 : 艾克斯特朗股份公司
变更后 : 艾克斯特朗欧洲公司
变更事项 : 地址
变更前 : 德国亚琛
变更后 : 德国黑措根拉特
2012-03-21 :
授权
2008-03-19 :
实质审查的生效
2008-01-16 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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