一种反应腔室的气体分配装置
授权
摘要
本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种反应腔室的气体分配装置，气体分配装置分别连接反应腔室的多个进气孔，包括：一供给管道，连接一气体分配室的一端，供给管道用于提供反应气体；一第一分气管道和一第二分气管道，第一分气管道的入口端和第二分气管道的入口端均连接于气体分配室的另一端，第一分气管道的出口端和第二分气管道的出口端分别连接不同的进气孔；一分气器，设置于第一分气管道的入口端和第二分气管道的入口端，用于分配第一分气管道和第二分气管道的进气量。本实用新型的有益效果：通过气体分配装置调节反应腔室内各个区域的反应气体的密度，以使各个区域内的反应气体的密度均衡，从而提升氧化层的均匀性。
基本信息
专利标题 ：
一种反应腔室的气体分配装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921046037.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-05
授权号 ：
CN210136851U
授权日 ：
2020-03-10
发明人 ：
易重洲
申请人 ：
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
俞涤炯
优先权 ：
CN201921046037.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-03-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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