压电元件的制造方法

专利权的终止

摘要

本发明公开一种压电元件的制造方法，其在制造工序过程中，避免发生压电薄膜层受到不希望的电场，从而能够保证较高压电特性，此压电元件的制造方法包含：在基板上顺序积层下部电极层、压电薄膜层以及上部电极层的第一工序；以包含干法刻蚀的刻蚀进行刻蚀处理的第二工序；向下部电极层和上部电极层之间施加电压，进行极化处理的第三工序；单片化处理得到各个压电元件的第四工序，至少在进行所述干法刻蚀时，保持下部电极层和上部电极层之间短路。

基本信息

专利标题：

压电元件的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101120455A

申请号：

CN200680004807.6

公开（公告）日：

2008-02-06

申请日：

2006-02-15

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

中村友骑村岛祐二安见正博小牧一树

申请人：

松下电器产业株式会社

申请人地址：

日本大阪府

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

优先权：

CN200680004807.6

主分类号：

H01L41/22

IPC分类号：

H01L41/22 B41J2/16 H01L41/09 H01L41/18 H01L41/187