具有副腔的蚀刻腔
专利申请权、专利权的转移
摘要
在用于蚀刻半导体晶片或样品(101)的装置中，半导体晶片或样品被放置在置于第一腔室(103)内的样品支座(104)上。半导体晶片或样品与样品支座的结合体被封入第一腔室内的第二腔室(130)内。从第二腔室排出气体，并且将蚀刻气体引入第二腔室而不引入第一腔室，以蚀刻半导体晶片或样品。
基本信息
专利标题 ：
具有副腔的蚀刻腔
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101128622A
申请号 ：
CN200680006002.5
公开（公告）日 ：
2008-02-20
申请日 ：
2006-02-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
凯尔·S·勒布伊茨爱德华·F·欣德
申请人 ：
埃克提斯公司
申请人地址 ：
美国宾夕法尼亚州
代理机构 ：
北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
余朦
优先权 ：
CN200680006002.5
主分类号 ：
C23F1/00
IPC分类号 ：
C23F1/00 H01L21/306
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23F
非机械方法去除表面上的金属材料；金属材料的缓蚀；一般防积垢；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法的多步法金属材料表面处理
C23F1/00
金属材料的化学法蚀刻
法律状态
2014-05-28 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101701214314
IPC(主分类) : C23F 1/00
专利号 : ZL2006800060025
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 埃克提斯公司
变更后权利人 : SPTS技术有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国宾夕法尼亚州
变更后权利人 : 英国纽波特
登记生效日 : 20140430
号牌文件序号 : 101701214314
IPC(主分类) : C23F 1/00
专利号 : ZL2006800060025
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 埃克提斯公司
变更后权利人 : SPTS技术有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国宾夕法尼亚州
变更后权利人 : 英国纽波特
登记生效日 : 20140430
2010-08-25 ：
授权
2008-04-16 ：
实质审查的生效
2008-02-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN101128622A.PDF
PDF下载
