磁力线遮蔽控制反应腔室磁场的蚀刻机结构
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型提供一种磁力线遮蔽控制反应腔室磁场的蚀刻机结构,其包括:第一等离子体反应腔体,具有第一反应腔室;第一线圈模块,环绕设置于第一反应腔室的外围;以及第一磁力线遮蔽模块,环绕设置于第一线圈模块的外围。借由本实用新型的实施,可以阻挡及/或反射第一线圈模块的磁力线及/或电磁波向外扩散且控制磁力线的形状,以有效创造更多制造过程参数,以便更精密的生产各类产品。

基本信息
专利标题 :
磁力线遮蔽控制反应腔室磁场的蚀刻机结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921893454.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-05
授权号 :
CN211350567U
授权日 :
2020-08-25
发明人 :
林志隆蔡兆哲陈俊龙
申请人 :
聚昌科技股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾新竹县湖口乡胜利村光复南路16号
代理机构 :
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 :
寿宁
优先权 :
CN201921893454.0
主分类号 :
H01J37/32
IPC分类号 :
H01J37/32  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-06-14 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01J 37/32
登记生效日 : 20220601
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 聚昌科技股份有限公司
变更后权利人 : 汉民科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 新竹县湖口乡胜利村光复南路16号
变更后权利人 : 中国台湾台北市大安区敦化南路2段38号14楼
2020-08-25 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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