三轴磁传感器及其制造方法
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摘要
本发明提供的三轴磁传感器，形成有由多个磁阻效应元件条通过偏置磁铁串联连接结构的磁阻效应元件。X轴传感器的磁阻效应元件和Y轴传感器的磁阻效应元件形成在相对衬底平面为平行的平面上。其磁化灵敏度方向为相对各磁阻效应元件条的长度方向为垂直的方向，且X轴传感器的磁阻效应元件和Y轴传感器的磁阻效应元件的磁化方向以相互正交的方式形成。Z轴传感器的磁阻效应元件形成在由衬底平面突出设置着的突出部的斜面上，其磁化方向以位于所述斜面内的方式形成。Z轴传感器的灵敏度方向以相对所述磁阻效应元件条的长度方向为垂直的方向形成。
基本信息
专利标题 ：
三轴磁传感器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101203769A
申请号 ：
CN200680008060.1
公开（公告）日 ：
2008-06-18
申请日 ：
2006-03-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
佐藤秀树大村昌良内藤宽大桥俊幸涌井幸夫大须贺千寻
申请人 ：
雅马哈株式会社
申请人地址 ：
日本静冈县
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
葛青
优先权 ：
CN200680008060.1
主分类号 ：
G01R33/09
IPC分类号 ：
G01R33/09 H01L43/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/06
采用电磁器件
G01R33/09
磁电阻器件
法律状态
2012-12-26 ：
授权
2008-08-13 ：
实质审查的生效
2008-06-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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