固态成象器件的制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
提供具有这种杂质浓度分布的CCD固态成象器件的制造方法，其中该分布使减少阴影和形成被赋予大的饱和信号电荷量的埋沟成为可能。该制造方法包括：在半导体衬底(11)上形成氧化物层(12)的氧化物层形成步骤；通过氧化物层(12)对半导体衬底(11)进行离子注入从而在对应于电荷转移部分的位置上形成阱的离子注入步骤；和对经过离子注入步骤的氧化物层(12)，至少在对应于阱的位置中进行绝缘层形成处理的绝缘层形成步骤。
基本信息
专利标题 ：
固态成象器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101151731A
申请号 ：
CN200680010290.1
公开（公告）日 ：
2008-03-26
申请日 ：
2006-03-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
塚本朗
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
孙秀武
优先权 ：
CN200680010290.1
主分类号 ：
H01L27/148
IPC分类号 ：
H01L27/148 H01L21/339
法律状态
2008-12-31 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-03-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN101151731A.PDF
PDF下载
