半导体双极发光和激光装置及方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要

本发明涉及一种用于产生光学输出的方法,所述方法包含以下步骤:提供第一和第二电信号;提供双极发光晶体管装置,其包含集电极区域、基极区域和发射极区域;提供与所述集电极区域耦合的集电极电极和与所述发射极区域耦合的发射极电极,且相对于集电极电极和发射极电极耦合电位;提供与所述基极区域光学连通的光学耦合;提供与所述基极区域耦合的第一和第二基极电极;及将所述第一和第二电信号分别与所述第一和第二基极电极耦合以产生从所述基极区域发射出并耦合至所述光学耦合中的光学输出,所述光学输出为所述第一和第二电信号的函数。本发明还揭示一种改进型pnp晶体管激光器和一种用于在产生输出激光脉冲的受激发射模式与自发发射模式之间来回切换的技术。

基本信息
专利标题 :
半导体双极发光和激光装置及方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101238619A
申请号 :
CN200680013056.4
公开(公告)日 :
2008-08-06
申请日 :
2006-02-27
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
米尔顿·冯尼克·小霍伦亚克理查德·禅加布里埃尔·沃尔特
申请人 :
伊利诺斯大学理事会
申请人地址 :
美国伊利诺斯州
代理机构 :
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 :
孟锐
优先权 :
CN200680013056.4
主分类号 :
H01S3/13
IPC分类号 :
H01S3/13  
法律状态
2011-01-19 :
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101062888502
IPC(主分类) : H01S 3/13
专利申请号 : 2006800130564
公开日 : 20080806
2008-10-01 :
实质审查的生效
2008-08-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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