TO型封装集成电路元器件老化试验插座

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及一种微电子元器件老化试验插座，尤其能对TO型封装集成电路元器件可靠性进行高温老化试验和测试的插座。该插座按照8线TO型封装微电子元器件结构设计和尺寸要求，将插座设计成插座体、接触件和锁紧装置三大部分，插座体由座、盖组成，接触件由静止簧片和可位移簧片的8组双簧片结构按半径为6.35mm的圆形轨迹排列，与被试器件引出线相对应、自动锁紧和零插拔力结构安装于插座体上。锁紧装置由滑块和手柄组成，手柄处于初始位置时，接触件张开，当手柄受力向下翻转90°时，由于手柄的径向尺寸差，从而使滑块产生位移，促使接触件的可位移簧片向静止簧片横向运动，达到锁紧被试器件引出线的效果。当手柄受力向上翻转90°时，接触件复位初始。

基本信息

专利标题：

TO型封装集成电路元器件老化试验插座

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720109317.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-05-10

授权号：

CN201141875Y

授权日：

2008-10-29

发明人：

曹宏国

申请人：

曹宏国

申请人地址：

313119浙江省长兴县槐坎乡新街电子厂108号

代理机构：

代理人：

优先权：

CN200720109317.4

主分类号：

G01R1/04

IPC分类号：

G01R1/04