具有侧面端口的MEMS传感器和其制造方法
授权
摘要
本发明涉及一种MEMS传感器封装,MEMS传感器封装包括MEMS管芯,MEMS管芯包括具有在其上形成的传感器的基板和耦合到基板的顶盖层。顶盖层具有上覆于传感器所驻留的基板区的空腔。端口在空腔和MEMS管芯的侧壁之间延伸,并使流体能够进入到所述空腔中。制造方法涉及提供具有在其上形成的传感器的基板结构,提供具有朝内延伸的空腔的顶盖层结构,以及在空腔对之间形成通道。顶盖层结构与基板结构耦合,并且每一通道插入在一对空腔之间。切割过程产生一对传感器封装,传感器封装各自具有通过分割所述通道形成的端口,其中端口在切割期间暴露,在其相应的空腔和所述传感器封装的侧壁之间延伸。
基本信息
专利标题 :
具有侧面端口的MEMS传感器和其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN106946214A
申请号 :
CN201610832295.8
公开(公告)日 :
2017-07-14
申请日 :
2016-09-19
授权号 :
CN106946214B
授权日 :
2022-04-29
发明人 :
查德·S·道森斯蒂芬·R·胡珀李丰园阿尔温德·S·萨利安
申请人 :
飞思卡尔半导体公司
申请人地址 :
美国得克萨斯州
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
倪斌
优先权 :
CN201610832295.8
主分类号 :
B81B7/00
IPC分类号 :
B81B7/00 B81B7/02 B81C1/00
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B81
微观结构技术
B81B
微观结构的装置或系统,例如微观机械装置
B81B7/00
微观结构系统
法律状态
2022-04-29 :
授权
2018-10-23 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : B81B 7/00
申请日 : 20160919
申请日 : 20160919
2017-11-14 :
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : B81B 7/00
登记生效日 : 20171025
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 飞思卡尔半导体公司
变更后权利人 : 恩智浦美国有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国得克萨斯州
变更后权利人 : 美国德克萨斯州
登记生效日 : 20171025
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 飞思卡尔半导体公司
变更后权利人 : 恩智浦美国有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国得克萨斯州
变更后权利人 : 美国德克萨斯州
2017-07-14 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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