双端口SRAM的版图和双端口SRAM及其制造方法
授权
摘要
本发明涉及双端口SRAM的版图和双端口SRAM及其制造方法，涉及半导体集成电路设计，通过将包括第二控制管的第二有源区布局在包括第一下拉管的第一有源区与包括第一上拉管的第三有源区之间，并布局第一接触孔，第一接触孔位于第二控制管的漏/源端和用于形成第一下拉管的栅极的多晶硅上，将包括第三控制管的第五有源区布局在包括第二下拉管的第六有源区与包括第二上拉管的第四有源区之间，并布局第四接触孔，第四接触孔位于第三控制管的漏/源端和用于形成第二下拉管的栅极的多晶硅上，如此增加了双端口SRAM单元的对称性，使得SRAM单元读操作的速度匹配，而提高了读写速度。
基本信息
专利标题 ：
双端口SRAM的版图和双端口SRAM及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110752210A
申请号 ：
CN201911027973.3
公开（公告）日 ：
2020-02-04
申请日 ：
2019-10-28
授权号 ：
CN110752210B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
周晓君
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
张彦敏
优先权 ：
CN201911027973.3
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L27/11 H01L23/528 H01L21/8244
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-02-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20191028
申请日 : 20191028
2020-02-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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