嵌入式锗硅的制造方法、CMOS器件及锗硅生长区域版图
授权
摘要
本发明涉及嵌入式锗硅的制造方法、CMOS器件及锗硅生长区域版图，涉及半导体集成电路工艺，通过改进锗硅生长区域版图，将相邻两个有源区之间的STI区域及与STI区域两侧相邻的有源区的部分区域定义为不透光的特定区域，使得经光刻刻蚀后形成的临近STI的沟槽呈完整的对称的sigma型，最终有源区上外延生长出的锗硅均是对称的有包边的锗硅，临近STI的锗硅靠近有源区的栅极侧的拐角顶点与器件沟道之间竖直方向的距离小于有源区内相邻两栅极之间的锗硅的拐角顶点与器件沟道之间竖直方向的距离，使得临近STI的器件沟道压应力提高促使漏电流大大增加，进而使得同一个有源区上的器件之间的漏电流偏差变小，而减少驱动能力出现失配的问题，大大提高产品良率。
基本信息
专利标题 ：
嵌入式锗硅的制造方法、CMOS器件及锗硅生长区域版图
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110783175A
申请号 ：
CN201911022992.7
公开（公告）日 ：
2020-02-11
申请日 ：
2019-10-25
授权号 ：
CN110783175B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
李中华李润领田明
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
张彦敏
优先权 ：
CN201911022992.7
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/027 H01L21/8238 H01L27/092
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-03-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20191025
申请日 : 20191025
2020-02-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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