单次可编程存储器架构中的自锁存感测时序
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摘要
本发明涉及一种单次可编程存储器架构中的自锁存感测时序。可编程存储器(19)包含自锁存读取数据路径。感测放大器(28)感测位线处的电压电平，所述位线传送在其相关联的列中的所选择的存储器单元(32)的数据状态。耦合到所述感测放大器(28)的输出的数据锁存器(30)传递所述感测到的数据状态。提供在所述读取数据路径中接收所述数据锁存器(30)的输出的设置复位逻辑(34)，且所述设置复位逻辑(34)响应于所述数据状态在读取循环中的转变锁存所述数据锁存器(30)并将其与所述感测放大器(28)隔离。所述设置复位逻辑(34)在下一读取循环的开始处使所述数据锁存器(30)复位。在一些实施例中，提供定时器(27)，使得所述锁存器(30)在其中无数据转变发生的较长读取循环中在超时周期之后被复位。
基本信息
专利标题 ：
单次可编程存储器架构中的自锁存感测时序
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN106960687A
申请号 ：
CN201611168426.3
公开（公告）日 ：
2017-07-18
申请日 ：
2016-12-16
授权号 ：
CN106960687B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
邱云晨大卫·J·图普斯哈罗德·L·戴维斯
申请人 ：
德州仪器公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林斯凯
优先权 ：
CN201611168426.3
主分类号 ：
G11C16/34
IPC分类号 ：
G11C16/34 G11C16/32
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/34
编程状态的确定，例如，阈值电压、过编程或欠编程、保留
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2018-11-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/34
申请日 : 20161216
申请日 : 20161216
2017-07-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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