膏状组合物及硅锗层的形成方法
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摘要
本发明提供一种能够安全且容易地形成硅锗层的膏状组合物，还提供一种能够安全且容易地形成硅锗层的硅锗层的形成方法。本发明提供一种膏状组合物，其为用于形成硅锗层的膏状组合物，其特征在于，含有铝和锗，相对于所述铝100质量份，所述锗的含量大于1质量份、且为10000质量份以下。
基本信息
专利标题 ：
膏状组合物及硅锗层的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108028187A
申请号 ：
CN201680055095.4
公开（公告）日 ：
2018-05-11
申请日 ：
2016-09-16
授权号 ：
CN108028187B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
马尔万·达姆林铃木绍太菊地健中原正博森下直哉
申请人 ：
东洋铝株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
张晶
优先权 ：
CN201680055095.4
主分类号 ：
H01L21/208
IPC分类号 ：
H01L21/208 H01L21/20
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/208
应用液体沉积的
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2018-07-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/208
申请日 : 20160916
申请日 : 20160916
2018-05-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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