包括二维半导体的薄膜晶体管以及包括其的显示设备
授权
摘要
本发明涉及包括二维半导体的薄膜晶体管以及包括其的显示设备。该薄膜晶体管包括：设置在基底上的栅电极；半导体层，以与栅电极隔离的状态设置成与栅电极的至少一部分交叠；设置在栅电极与半导体层之间的栅极绝缘膜；连接至半导体层的源电极；以及漏电极，以与源电极间隔开的状态连接至半导体层，其中所述半导体层包括：第一层，包含氧化物半导体；以及被设置成在截面图中与第一层交叠的第二层，第二层包含二维半导体，以及第一层的能带隙大于第二层的能带隙。
基本信息
专利标题 ：
包括二维半导体的薄膜晶体管以及包括其的显示设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109698240A
申请号 ：
CN201810753994.2
公开（公告）日 ：
2019-04-30
申请日 ：
2018-07-03
授权号 ：
CN109698240B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
李禧成任曙延朴权植金圣起
申请人 ：
乐金显示有限公司
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡胜有
优先权 ：
CN201810753994.2
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L27/32 G09F9/30
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2019-05-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20180703
申请日 : 20180703
2019-04-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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