一种提高减薄后的GaAs基LED晶片衬底与金属粘附性的方...
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摘要
本发明涉及一种提高减薄后的GaAs基LED晶片衬底与金属粘附性的方法，包括：(1)GaAs衬底减薄；(2)GaAs衬底表面刮片：将晶片背面朝上放置在平整的台面上，刮除GaAs衬底表面较大的颗粒；(3)GaAs衬底表面物理处理：使用粘性膜贴附在GaAs衬底表面上，对GaAs衬底表面上的残渣碎屑进行粘附。(4)GaAs衬底表面化学腐蚀：将晶片放置在氨水、双氧水的混合溶液中进行加热超声腐蚀，腐蚀完成后依次进行冲水、干燥；(5)N电极制作、管芯切割：在晶片的GaAs衬底表面上制作N电极，并将管芯切割。本发明在不对晶片造成影响的条件下，彻底快速有效的去除了背面残渣碎屑，提高后续N电极制作的粘附性。
基本信息
专利标题 ：
一种提高减薄后的GaAs基LED晶片衬底与金属粘附性的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110767530A
申请号 ：
CN201810833429.7
公开（公告）日 ：
2020-02-07
申请日 ：
2018-07-26
授权号 ：
CN110767530B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
徐晓强张兆喜闫宝华王成新
申请人 ：
山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请人地址 ：
山东省潍坊市高新区金马路9号
代理机构 ：
济南金迪知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨树云
优先权 ：
CN201810833429.7
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/306 H01L33/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-03-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20180726
申请日 : 20180726
2020-02-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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