集成电路修补方法及装置、存储介质、电子设备

授权

摘要

本公开涉及计算机技术领域，尤其涉及一种集成电路修补方法及装置、存储介质、电子设备。所述方法包括：获取待修补集成电路的芯片测试数据；根据所述芯片测试数据并结合由深度学习网络构建的预测模型预测所述待修补集成电路的封装测试数据；根据所述芯片测试数据和所述封装测试数据对所述待修补集成电路进行修补。本公开避免了人为因素的影响，使得封装测试数据的预测准确率大大提高，进而也避免出现修补电路浪费的现象，此外，由于封装测试数据的预测准确率大大提高，因此，可以很好的缩短修补时间并降低修补成本。

基本信息

专利标题：

集成电路修补方法及装置、存储介质、电子设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110991124A

申请号：

CN201811149310.4

公开（公告）日：

2020-04-10

申请日：

2018-09-29

授权号：

CN110991124B

授权日：

2022-04-12

发明人：

林家圣

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

代理机构：

北京律智知识产权代理有限公司

代理人：

袁礼君

优先权：

CN201811149310.4

主分类号：

G06F30/3308

IPC分类号：

G06F30/3308 G06F30/367 G06F30/398