射频发射系统的假负载构造及制造方法以及射频发射系统

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摘要

本发明提供一种射频发射系统的假负载构造及制造方法以及射频发射系统，该假负载构造包括：一基板，具有多个电阻设置部；多个电阻片，设置于所述电阻设置部的一部分或全部，其中所述电阻片的个数根据所述电阻片的热阻值和所述射频发射系统的射频峰值功率值来确定；以使确定了的所述多个电阻片的总电阻值成为预定值的方式，将确定了电阻片个数的所述多个电阻片分成多个电阻片组，其中每个电阻片组内的所述电阻片并联连接，所述电阻片组之间串联连接。

基本信息

专利标题：

射频发射系统的假负载构造及制造方法以及射频发射系统

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110971247A

申请号：

CN201811159764.X

公开（公告）日：

2020-04-07

申请日：

2018-09-30

授权号：

CN110971247B

授权日：

2022-04-15

发明人：

程鸿李志宾李文明克劳斯·胡贝尔

申请人：

西门子（深圳）磁共振有限公司

申请人地址：

广东省深圳市高新区中区高新中二道西门子磁共振园

代理机构：

代理人：

优先权：

CN201811159764.X

主分类号：

H04B1/04

IPC分类号：

H04B1/04