高频集成电路封装构造及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明是有关于一种高频集成电路封装构造及其制造方法。该高频集成电路封装构造，主要包括一基板、一凸块化晶片及复数个导电填料。该基板是具有由一上表面贯穿至一下表面的复数个凸块容置通孔并包含有一线路层，该凸块化晶片的一主动面是贴附于该基板的该上表面，使得该凸块化晶片的复数个凸块是容置于对应的该些凸块容置通孔内，该些导电填料是形成于该些凸块容置通孔内，达到电性连接该些凸块至该线路层。该高频集成电路封装构造具有电性传导路径短、防止冲线以及封装薄化的功效。

基本信息

专利标题：

高频集成电路封装构造及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101030565A

申请号：

CN200610057848.3

公开（公告）日：

2007-09-05

申请日：

2006-03-01

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

黄祥铭刘安鸿林勇志李宜璋杜武昌林俊宏邱士峰

申请人：

南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾

代理机构：

北京中原华和知识产权代理有限责任公司

代理人：

寿宁

优先权：

CN200610057848.3

主分类号：

H01L23/498

IPC分类号：

H01L23/498 H01L23/50 H01L23/31 H01L21/60 H01L21/56

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/48

用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置

H01L23/488

由焊接或黏结结构组成

H01L23/498

引线位于绝缘衬底上的

法律状态

2022-02-22 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/498
申请日 : 20060301
授权公告日 : 20081126
终止日期 : 20210301

2008-11-26 ：

授权

2007-10-31 ：

实质审查的生效

2007-09-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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