集成电路堆栈构造及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明集成电路堆栈构造及其制造方法，包括一基板，设有一上表面及一下表面，该上表面形成有多数个第一电极，该下表面形成有多数个第二电极连接该对应的第一电极；一下层集成电路，设置于该基板的上表面，其上形成有多数个焊垫；多数条导线，其是电连接该芯片的焊垫至该基板的第一电极；一第一接着剂，涂设于该下层集成电路上，使其硬化，形成同样高度的圆点；一第二接着剂，涂布于该下层集成电路上，位于该第一接着剂四周；一上层集成电路，设置于该下层集成电路上，由该第一接着剂支撑，粘着于该第二接着剂上；多数条导线，电连接该上层集成电路至基板的第一电极电；及封胶层，是用以包覆该上、下层集成电路及导线。
基本信息
专利标题 ：
集成电路堆栈构造及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101034701A
申请号 ：
CN200610058172.X
公开（公告）日 ：
2007-09-12
申请日 ：
2006-03-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
辛宗宪
申请人 ：
胜开科技股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹县
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
周国城
优先权 ：
CN200610058172.X
主分类号 ：
H01L25/065
IPC分类号 ：
H01L25/065 H01L23/488 H01L23/31 H01L21/50 H01L21/56 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/065
包含在H01L27/00组类型的器件
法律状态
2009-07-01 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-11-07 ：
实质审查的生效
2007-09-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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