多层构造半导体微型组件及制造方法

专利权的终止

摘要

提供抑制了弯曲发生的多层构造式半导体微型组件及其制造方法。交替叠层组装了半导体芯片(2)的树脂衬底(3)和形成了比半导体芯片(2)大的开口部的，粘结在树脂衬底(3)上的薄膜部件形成多层构造半导体微型组件，树脂衬底(3)中位于最下层的树脂衬底(4)的厚度比其他的树脂衬底(3)厚。

基本信息

专利标题：

多层构造半导体微型组件及制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1812088A

申请号：

CN200510129533.0

公开（公告）日：

2006-08-02

申请日：

2005-12-06

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

川端毅佐藤元昭福田敏行津田俊雄登一博中谷诚一

申请人：

松下电器产业株式会社

申请人地址：

日本大阪府

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

优先权：

CN200510129533.0

主分类号：

H01L25/00

IPC分类号：

H01L25/00 H01L23/498 H01L23/50 H01L21/48 H01L21/60