磁传感器
授权
摘要
一种磁传感器，抑制各磁阻元件的检测位置以及检测时刻的偏移，并以高精度并且以高空间分辨率进行测定。磁传感器100在与第一磁阻元件1以及第二磁阻元件2的平面正交的方向上排列有多个磁阻元件单元10，该磁阻元件单元10中以第一方向为检测轴的平面型的第一磁阻元件1与以和第一方向不同的第二方向为检测轴的平面型的第二磁阻元件2对置配置，与测定样品6对置的面是与磁阻元件单元10的排列方向平行的面103。
基本信息
专利标题 ：
磁传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110573895A
申请号 ：
CN201880027218.2
公开（公告）日 ：
2019-12-13
申请日 ：
2018-04-24
授权号 ：
CN110573895B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
城野纯一关根孝二郎土田匡章
申请人 ：
柯尼卡美能达株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
金雪梅
优先权 ：
CN201880027218.2
主分类号 ：
G01R33/09
IPC分类号 ：
G01R33/09 G01N27/72 H01L43/08
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/06
采用电磁器件
G01R33/09
磁电阻器件
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2020-01-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 33/09
申请日 : 20180424
申请日 : 20180424
2019-12-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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