一种层状集成的三维磁场传感器及其制备方法和用途
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摘要

本发明涉及一种层状集成的三维磁场传感器,其为在磁性多层膜上经常规半导体制备工艺,形成的独立的分别对三维空间感应的磁场传感器,所述的磁性多层膜包括一片基及其上的缓冲层,在缓冲层上依次沉积三个由叠加的隧道结或/和巨磁电阻材料的磁组元件形成的磁性传感器单元,还包括在两个磁性传感器单元之间的绝缘层,及第三磁性传感器单元上的覆盖层;每一个磁性传感器单元均包括反铁磁层、钉扎层、非磁性层、和自由层,且钉扎层和自由层方向垂直,在没有外加磁场时三个磁电阻元件的自由层有一个易轴方向,钉扎层的三个易轴方向相互垂直,分别具有垂直于片基和平行于片基、且相互垂直的磁场感应方向。该三维集成地磁场传感器可用于检测三维磁场。

基本信息
专利标题 :
一种层状集成的三维磁场传感器及其制备方法和用途
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1955753A
申请号 :
CN200510116757.8
公开(公告)日 :
2007-05-02
申请日 :
2005-10-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王磊韩秀峰魏红祥杨捍东翟光杰
申请人 :
中国科学院物理研究所
申请人地址 :
100080北京市海淀区中关村南三街8号
代理机构 :
北京泛华伟业知识产权代理有限公司
代理人 :
高存秀
优先权 :
CN200510116757.8
主分类号 :
G01R33/02
IPC分类号 :
G01R33/02  G01R33/09  H01L43/10  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
法律状态
2009-10-14 :
授权
2007-06-27 :
实质审查的生效
2007-05-02 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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