一种平面集成的三维磁场传感器及其制备方法和用途
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摘要

本发明涉及一种平面集成的三维磁场传感器,其包括:一个片基和其上的缓冲层,以及三个位于缓冲层上不同区域的、独立的、磁性多层膜构成的磁性传感器单元,在没有外加磁场时三个磁性传感器单元的自由层有同一个易轴方向,钉扎层的三个易轴方向相互垂直,分别具有垂直于片基平面磁场感应方向和平行于片基平面、且相互垂直的二维磁场感应方向。该平面集成的三维磁场传感器可用于检测三维磁场。由于本发明将测量三维方向的磁场传感器集中在一块芯片上,减小了传感器体积,降低了成本,大大提高了三维磁性传感器的稳定性,尤其是可以与大规模集成电路工艺相兼容,在一些特定条件下有着很多不可替代的优点。

基本信息
专利标题 :
一种平面集成的三维磁场传感器及其制备方法和用途
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1979210A
申请号 :
CN200510126428.1
公开(公告)日 :
2007-06-13
申请日 :
2005-12-09
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
覃启航韩秀峰王磊马明魏红祥詹文山
申请人 :
中国科学院物理研究所
申请人地址 :
100080北京市海淀区中关村南三街8号
代理机构 :
北京泛华伟业知识产权代理有限公司
代理人 :
高存秀
优先权 :
CN200510126428.1
主分类号 :
G01R33/09
IPC分类号 :
G01R33/09  H01L43/10  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/06
采用电磁器件
G01R33/09
磁电阻器件
法律状态
2010-03-03 :
授权
2007-08-08 :
实质审查的生效
2007-06-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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