基于纳米图形的蓝绿量子点发光二极管及制备方法
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摘要
本发明公开了一种基于纳米图形的蓝绿量子点发光二极管及制备方法，主要解决现有蓝绿量子点发光二极管电荷传输效率低，表面缺陷多的问题。其自下而上包括：衬底层(1)、n型GaN层(2)、InxGa1‑xN单量子点层(3)和p型GaN层(4)，该n型GaN层上设有直径为20‑200nm，高度为3‑30nm，且分布均匀的纳米图形，该InxGa1‑xN单量子点层位于纳米图形上。本发明与传统量子点发光二极管相比，使用氧化硅纳米球阵列为掩模，通过ICP蚀刻技术得到均匀分布的纳米图形，在纳米图形上直接生长量子点，提高了电荷传输效率，降低了表面位错，能得到高效的蓝绿量子点发光二极管，可用于蓝绿光发光设备中。
基本信息
专利标题 ：
基于纳米图形的蓝绿量子点发光二极管及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110098292A
申请号 ：
CN201910169560.2
公开（公告）日 ：
2019-08-06
申请日 ：
2019-03-06
授权号 ：
CN110098292B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
周小伟訾亚丽王燕丽李培咸许晟瑞马晓华郝跃
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市太白南路2号
代理机构 ：
陕西电子工业专利中心
代理人 ：
王品华
优先权 ：
CN201910169560.2
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/24 H01L33/32 H01L33/00 B82Y40/00
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法律状态
2022-04-29 ：
授权
2019-08-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20190306
申请日 : 20190306
2019-08-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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