MnBi2Te4
授权
摘要
本发明涉及一种MnBi2Te4块体单晶的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：提供摩尔比为1.1:1～1:1.1的MnTe多晶和Bi2Te3多晶混合物；将该混合物在真空反应室中加热到700℃～900℃，然后以小于等于1℃/小时的速率缓慢降温至570℃～600℃，然后在570℃～600℃保持10天以上进行退火得到中间产物；以及将中间产物在570℃～600℃条件下在空气中淬火至室温。本发明提供的制备MnBi2Te4块体单晶的方法工艺简单，成本低廉。
基本信息
专利标题 ：
MnBi2Te4块体单晶的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111979581A
申请号 ：
CN201910430887.0
公开（公告）日 ：
2020-11-24
申请日 ：
2019-05-22
授权号 ：
CN111979581B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
李昊吴扬张跃钢范守善
申请人 ：
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201910430887.0
主分类号 ：
C30B29/46
IPC分类号 ：
C30B29/46 C30B9/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/46
含硫、硒或碲的化合物
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2020-12-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/46
申请日 : 20190522
申请日 : 20190522
2020-11-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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