具有分布布拉格反射器的发光二极管芯片
授权
摘要
根据本发明的发光二极管芯片包括：发光结构体，包括活性层；以及分布布拉格反射器(DBR)。该DBR包括相互交替层叠的具有低折射率的第一材料层以及具有高折射率的第二材料层的对。并且，DBR针对从发光结构体发出的光的峰值波长(λ)，包括：第一区域，包括多个对，并且第一材料层以及第二材料层均具有大于0.25λ并且0.3λ以下的光学厚度；最后对，与发光结构体最远；以及第二区域，位于第一区域和最后对之间，并且第一材料层以及第二材料层均具有小于0.25λ的光学厚度，第一区域比第二区域与发光结构体更近，第二区域内的第一材料层与第二材料层相比光学厚度偏差大。
基本信息
专利标题 ：
具有分布布拉格反射器的发光二极管芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110556463A
申请号 ：
CN201910445132.8
公开（公告）日 ：
2019-12-10
申请日 ：
2019-05-27
授权号 ：
CN110556463B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
金艺瑟金京完
申请人 ：
首尔伟傲世有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道安山市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
姜长星
优先权 ：
CN201910445132.8
主分类号 ：
H01L33/46
IPC分类号 ：
H01L33/46
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2020-01-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/46
申请日 : 20190527
申请日 : 20190527
2019-12-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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