具有双层布拉格反射镜的发光二极管芯片及其制备方法
授权
摘要
本公开提供了具有双层布拉格反射镜的发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。在衬底与n‑AlInP限制层之间设置第一布拉格反射镜，在p‑AlInP限制层与p‑GaP欧姆接触层之间设置第二布拉格反射镜。发光层发出的大部分光线在第一布拉格反射镜与第二布拉格反射镜之间出现散射与漫反射的情况，且在遇到第一布拉格反射镜与第二布拉格反射镜均被反射，最后从第一布拉格反射镜与第二布拉格反射镜之间的外延层的侧壁出射，会被衬底吸收的光线较少，二极管的出光率会比较高。光线的出射更为均匀，提高最终得到的发光二极管的出光效率与出光均匀度。
基本信息
专利标题 ：
具有双层布拉格反射镜的发光二极管芯片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113410349A
申请号 ：
CN202110480400.7
公开（公告）日 ：
2021-09-17
申请日 ：
2021-04-30
授权号 ：
CN113410349B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
陶羽宇孙炳蔚
申请人 ：
华灿光电（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202110480400.7
主分类号 ：
H01L33/10
IPC分类号 ：
H01L33/10 H01L33/00
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-10-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/10
申请日 : 20210430
申请日 : 20210430
2021-09-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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