一种有序铁电拓扑畴结构阵列的制备方法
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摘要
本发明涉及一种有序铁电拓扑畴结构阵列的制备方法，其包括以下步骤：S1：采用脉冲激光沉积法在(001)方向的STO单晶衬底上沉积一层SRO导电层作为底电极；S2：选择Zr:Ti＝7:3的PZT靶材，采用脉冲激光沉积法在SRO导电层上沉积一层菱形相PZT薄膜；S3：转移单层PS小球至PZT薄膜表面作为掩模板，再用氧等离子体刻蚀处理，然后置于离子束刻蚀机中进行刻蚀，最后去除残留的单层PS小球掩模板，得到有序的菱形相PZT纳米点阵列，其为中心型拓扑畴结构。本发明制得的有序铁电拓扑畴结构阵列达到纳米级别，是一种高密度有序纳米点阵列结构。铁电拓扑畴结构之间相互独立，可由外加电场调控，同时具有良好的热稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种有序铁电拓扑畴结构阵列的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110473873A
申请号 ：
CN201910634343.6
公开（公告）日 ：
2019-11-19
申请日 ：
2019-07-15
授权号 ：
CN110473873B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
高兴森陈洪英田国
申请人 ：
华南师范大学
申请人地址 ：
广东省广州市番禺区广州大学城外环西路378号华南师范大学华南先进光电子研究院
代理机构 ：
广州新诺专利商标事务所有限公司
代理人 ：
辜丹芸
优先权 ：
CN201910634343.6
主分类号 ：
H01L27/11507
IPC分类号 ：
H01L27/11507 B82Y40/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11502
具有铁电体存储器电容器的
H01L27/11507
以存储器核心区为特征的
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2019-12-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11507
申请日 : 20190715
申请日 : 20190715
2019-11-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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