聚合物的去除方法
授权
摘要
本发明提供了一种聚合物的去除方法，所述方法包括：提供一半导体基底，所述半导体基底包括重叠形成的顶层金属层以及钝化层，所述钝化层中形成有开口，所述开口贯穿所述钝化层，以暴露出所述顶层金属层，并且在所述开口的底部残留有聚合物；以所述钝化层为掩膜，对所述半导体基底交替执行化学刻蚀工艺和物理轰击工艺，以刻蚀所述开口底部的聚合物。本发明提供的聚合物的去除方法的速率较高，还可以防止半导体基底的其他部位被拨快，确保半导体基底的性能。
基本信息
专利标题 ：
聚合物的去除方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110600376A
申请号 ：
CN201910891638.1
公开（公告）日 ：
2019-12-20
申请日 ：
2019-09-20
授权号 ：
CN110600376B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
孙文彦王一许鹏凯
申请人 ：
上海华力微电子有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN201910891638.1
主分类号 ：
H01L21/3105
IPC分类号 ：
H01L21/3105 H01L21/311 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2020-01-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/3105
申请日 : 20190920
申请日 : 20190920
2019-12-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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