一种BSG去除方法
公开
摘要
本发明公开了一种BSG去除方法，先将硅片背面BSG层变为XBSG层，X为Ⅴ族元素；再进行背刻蚀去除XBSG层；可降低背刻蚀的氢氟酸浓度，减少背刻蚀的时间，可降低酸耗，提高产能，优化工艺窗口，规避安全风险，有效优化TOPCon电池的工艺路线。
基本信息
专利标题 ：
一种BSG去除方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114583013A
申请号 ：
CN202210232143.X
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
任常瑞李鑫路董建文符黎明
申请人 ：
常州时创能源股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市溧阳市溧城镇吴潭渡路8号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210232143.X
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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