一种柔性电子器件及其制备方法

授权

摘要

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种柔性电子器件及其制备方法，包括：柔性基底和电子器件，所述电子器件包括衬底层和延伸层，所述延伸层设置在所述衬底层上；所述柔性基底设置在所述延伸层远离所述衬底层的表面上。在电子器件正面形成柔性基底，可避免器件减薄、转移、键合等制造过程中导致力学失效和破坏，提高柔性器件的性能可靠性和稳定性。在电子器件之间形成大面积柔性隔离层，进一步增强器件单元之间的柔性连接，提高器件结构的整体柔韧性和延展性。本发明同时形成背栅偏压控制端，能够实现器件电学性能的动态调制，改善器件的抗辐射特性。

基本信息

专利标题：

一种柔性电子器件及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111725149A

申请号：

CN201911000927.4

公开（公告）日：

2020-09-29

申请日：

2019-10-21

授权号：

CN111725149B

授权日：

2022-06-07

发明人：

常永伟董业民刘艳吕凯

申请人：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请人地址：

上海市长宁区长宁路865号

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司

代理人：

郝传鑫

优先权：

CN201911000927.4

主分类号：

H01L23/31

IPC分类号：

H01L23/31 H01L21/768

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/28

封装，例如密封层、涂覆物

H01L23/31

按配置特点进行区分的

法律状态

2022-06-07 ：

授权

2020-10-27 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 23/31
申请日 : 20191021

2020-09-29 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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