一种半导体光敏剂AgBiS2量子点...
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摘要
本发明涉及一种半导体光敏剂AgBiS2量子点及其制备方法。其技术方案是：按照银盐∶铋盐的物质的量的比为1∶(1～4)混合，得混合料；再按浓度为0.19～0.21mol/L，将混合料与油胺混合，在氮气气氛、100～120℃和500～800r/min的条件下搅拌，得含Ag+和Bi3+的混合前驱体溶液。按浓度为0.39～0.41mol/L，将升华硫和1‑十八烯混合，于相同条件下搅拌，制得硫的前驱体溶液。在190～210℃和氮气气氛条件下，按照含Ag+和Bi3+的混合前驱体溶液∶硫的前驱体溶液的体积比为1∶(0.9～1.1)混合，在500～800r/min条件下搅拌8～10min，制得半导体光敏剂AgBiS2量子点。本发明所制制品尺寸可控、表面缺陷少和光响应能力优良，有利于在量子点敏化太阳能电池中的应用。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体光敏剂AgBiS2量子点及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110950383A
申请号 ：
CN201911046464.5
公开（公告）日 ：
2020-04-03
申请日 ：
2019-10-30
授权号 ：
CN110950383B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
李薇馨葛静赵雷陈辉方伟何漩
申请人 ：
武汉科技大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市青山区和平大道947号
代理机构 ：
武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张火春
优先权 ：
CN201911046464.5
主分类号 ：
C01G29/00
IPC分类号 ：
C01G29/00 C09K11/74 B82Y40/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G29/00
铋的化合物
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2020-05-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01G 29/00
申请日 : 20191030
申请日 : 20191030
2020-04-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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