一种改善SADP中奇偶效应的工艺方法
授权
摘要
本发明提供一种改善SADP中奇偶效应的工艺方法，按照光刻胶图形刻蚀第一氮化硅层至含碳氧化硅层，形成顶部有一层氧化物的芯轴结构；在芯轴结构的顶部和侧壁覆盖一层多晶硅，形成侧墙；去除芯轴结构顶部和侧墙之间的多晶硅至露出顶部氧化硅和侧墙之间的含碳氧化硅为止；去除该氧化硅；去除多晶硅侧墙内的芯轴结构，并以剩余的多晶硅侧墙为掩膜刻蚀含碳氧化硅层、第二氮化硅层以及第一氧化硅层形成沟槽。本发明从改变工艺膜层性质的角度出发，充分利用湿法刻蚀中DHF试剂对不同氧化层的刻蚀速率不同，而干法刻蚀中SIN对氧化层的刻蚀选择比基本不随着氧化层材料的不同而发生显著变化的特性，用含碳氧化硅代替传统的氧化硅层，解决了SIN芯轴结构的SADP工艺流程中的深度奇偶效应问题。
基本信息
专利标题 ：
一种改善SADP中奇偶效应的工艺方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110718460A
申请号 ：
CN201911173047.7
公开（公告）日 ：
2020-01-21
申请日 ：
2019-11-26
授权号 ：
CN110718460B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
许鹏凯乔夫龙
申请人 ：
上海华力微电子有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区自由贸易试验区高斯路568号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
戴广志
优先权 ：
CN201911173047.7
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2020-02-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/311
申请日 : 20191126
申请日 : 20191126
2020-01-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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