用来改善平坦化负载效应的半导体制作工艺
授权
摘要
本发明公开一种用来改善平坦化负载效应的半导体制作工艺，其步骤包含在基底的第一区域与第二区域上形成多个第一凸起图形，其中第一区域中的凸起图形的密度比第二区域中的高、在该基底与该些第一凸起图形上形成第一介电层，其中该第一介电层具有多个对应到下方该些第一凸起图形的第二凸起图形、在第一介电层上形成第二介电层、进行第一平坦化制作工艺移除部分的第二介电层，以露出该些第二凸起图形的顶面、进行一蚀刻制作工艺移除第一介电层的该些第二凸起图形、移除剩余的第二介电层、以及对第一介电层进行另一次平坦化制作工艺。
基本信息
专利标题 ：
用来改善平坦化负载效应的半导体制作工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109817521A
申请号 ：
CN201711163834.4
公开（公告）日 ：
2019-05-28
申请日 ：
2017-11-21
授权号 ：
CN109817521B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
张峰溢李甫哲
申请人 ：
联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN201711163834.4
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L21/3105 H01L21/311
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2019-11-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/306
申请日 : 20171121
申请日 : 20171121
2019-05-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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