半导体制作设备
授权
摘要
本实用新型实施例公开了一种半导体制作设备，该设备包括：壳体，包括用于容纳目标物的腔体，壳体底部具有开口；支撑装置，用于承载目标物；承载有目标物的支撑装置，通过所述开口进入所述腔体内；第一类气体管道，位于所述腔体内，所述第一类气体管道的管道壁上设置有多个第一气孔；其中，述多个第一气孔的排列方向，与所述第一类气体管道内的第一类反应气体沿所述第一类气体管道的流动方向一致；且所述多个第一气孔的孔径，在所述第一类反应气体在所述第一类气体管道内的流动方向上逐步增大。
基本信息
专利标题 ：
半导体制作设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921586589.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-23
授权号 ：
CN210349787U
授权日 ：
2020-04-17
发明人 ：
黄欣欣许芷萍刘松
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
李洋
优先权 ：
CN201921586589.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-04-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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