大功率GaN基LED的散热结构
授权
摘要
本实用新型提供一种大功率GaN基LED的散热结构，其包括LED芯片单元、导电胶、石墨烯薄膜、覆铜陶瓷基板、导热硅脂、散热器，LED芯片单元采用倒装方式与覆铜陶瓷基板上铜层连接。其中采用化学气相沉积法在设计好的图形化DBC基板上生长石墨烯，作为与芯片侧面接触的散热层，在不影响本身芯片上下面热传导的前提下，利用石墨烯的横向高热导率，将芯片四周侧面的热量迅速横向传递到石墨烯散热层上继而传递到基板上，增加了新的热传导路径；采用芯片倒装的互连方式缩短热传导路径，增强整体结构的散热性能，实现局部高热流密度热点的有效散热，从而降低LED器件的最高温度，提升GaN基LED的发光效率和使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
大功率GaN基LED的散热结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920476144.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-10
授权号 ：
CN209515738U
授权日 ：
2019-10-18
发明人 ：
鲍婕靖南吴杰许媛侯丽焦铮宁仁霞陈珍海
申请人 ：
黄山学院
申请人地址 ：
安徽省黄山市屯溪区西海路39号
代理机构 ：
苏州国诚专利代理有限公司
代理人 ：
韩凤
优先权 ：
CN201920476144.2
主分类号 ：
H01L33/64
IPC分类号 ：
H01L33/64 H01L33/62 H01L25/075
法律状态
2019-10-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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