一种等温CVD法制备单晶热场产品的装炉结构
专利权的终止
摘要

本实用新型提出了一种等温CVD法制备单晶热场产品的装炉结构,包括筒状的保温筒体,所述保温筒体由若干保温筒叠加形成,安装在炉筒底部设置的石墨料盘上,所述保温筒体内叠加若干导气装置;所述保温筒体顶端设有圆环形限气板,所述圆环形限气板的内环边沿与保温筒体的顶端连接,外环边沿与炉筒内壁连接;所述炉筒顶部连接石墨导气管,所述石墨导气管底部伸入顶部的导气装置内,且所述石墨导气管上设有若干气孔。本实用新型保证气体从坩埚和导流筒的间隙、坩埚和保温筒体间隙及导流筒内部均进行沉积,减少沉积距离,提高沉积效率;通过第一分气工装和第二分气工装的作用,提高导流筒底部距离坩埚内底的距离,增加气体流畅性,避免出现炭黑的现象。

基本信息
专利标题 :
一种等温CVD法制备单晶热场产品的装炉结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920487146.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-04-11
授权号 :
CN210177004U
授权日 :
2020-03-24
发明人 :
姜召阳曹磊罗昆鹏陈小飞张贵岐高晓佳于红刚王春梅
申请人 :
航天睿特碳材料有限公司
申请人地址 :
山东省德州市庆云红云高新技术产业开发区东环路中段路东2588号
代理机构 :
北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
苗彩娟
优先权 :
CN201920487146.1
主分类号 :
C30B25/00
IPC分类号 :
C30B25/00  C23C16/455  C23C16/458  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
法律状态
2022-03-29 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C30B 25/00
申请日 : 20190411
授权公告日 : 20200324
终止日期 : 20210411
2020-03-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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