一种半导体切割用激光裂片装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体切割用激光裂片装置，半导体切割用激光裂片装置包括溶液槽、托料底座、激光加热装置以及提升驱动机构；所述托料底座用于承托碳化硅棒且置于溶液槽内，所述溶液槽内容纳有冷却液；所述激光加热装置设置在托料底座上方，用于对放置在托料底座上的碳化硅棒上端进行激光加热；所述提升驱动机构与托料底座连接用于驱动托料底座升降。本设计不需要切割碳化硅棒，提高材料利用率；该装置结构更为简单，故障率低，维护维修方便；该装置外围条件需求简单，占地少，操作安全，维修方便。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体切割用激光裂片装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920544483.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-19
授权号 ：
CN209785885U
授权日 ：
2019-12-13
发明人 ：
程远贵
申请人 ：
湖南新锐微电子科技有限公司
申请人地址 ：
湖南省长沙市高新开发区青山路6号金鹰文化创意园2号厂房402
代理机构 ：
广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人 ：
伍传松
优先权 ：
CN201920544483.X
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2019-12-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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