一种基于半导体生产的温控用高效加热装置
授权
摘要

本实用新型公开了一种基于半导体生产的温控用高效加热装置,涉及到半导体领域,包括支撑座,支撑座的上表面中部固定连接有加热炉体,支撑座的上表面一侧固定连接有第一支撑架,支撑座的上表面另一侧固定连接有第二支撑架,第一支撑架的一侧下端固定连接有驱动电机,第二支撑架的顶部活动连接往复丝杠的一端,驱动电机的一侧通过传动轴活动连接有第一皮带轮,第一皮带轮通过皮带活动连接有第二皮带轮,第一支撑架的顶端固定连接有滑动轨,滑动轨的上表面中部设置有移动块,移动块的顶端固定连接顶杆的底端。本实用新型通过在支撑座上设置第一支撑架和第二支撑架,能够便于支撑滑动轨以及往复丝杠。

基本信息
专利标题 :
一种基于半导体生产的温控用高效加热装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920693496.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-05-15
授权号 :
CN209947801U
授权日 :
2020-01-14
发明人 :
蒋恒深李洪聪米金鹏刘珍高珂珂崔丹
申请人 :
无锡艾里森科技有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市锡山区安镇街道丹山路88号锡东创融大厦C座503室
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201920693496.3
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-01-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN209947801U.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332