基于共晶键合工艺的集成式冲击片组件
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于共晶键合工艺的集成式冲击片组件，包括炮筒、飞片、爆炸箔组件及电缆，在炮筒上表面设有加速膛孔，在炮筒下表面设有第一共晶键合焊盘及飞片装填腔，且飞片装填腔与加速膛孔相连通；爆炸箔组件包括陶瓷基片，在陶瓷基片上表面设有爆炸箔及与第一共晶键合焊盘相对应的第二共晶键合焊盘，且在陶瓷基片上开设有贯穿陶瓷基片及爆炸箔的阵列过孔；飞片安装于炮筒的飞片装填腔内，炮筒与爆炸箔组件通过第一共晶键合焊盘与第二共晶键合焊盘的共晶键合而集成在一起，电缆焊接于陶瓷基片下表面。本实用新型的冲击片组件通过共晶键合工艺将陶瓷基片与带飞片装填腔的炮筒集成在一起，具备可靠性好、集成度高可批量化制造的特点。
基本信息
专利标题 ：
基于共晶键合工艺的集成式冲击片组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920742020.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-22
授权号 ：
CN210004889U
授权日 ：
2020-01-31
发明人 ：
孙登强房旷张志铭蒋小华尹强喻青霞
申请人 ：
中国工程物理研究院化工材料研究所
申请人地址 ：
四川省绵阳市绵山路64号
代理机构 ：
四川省成都市天策商标专利事务所
代理人 ：
郭会
优先权 ：
CN201920742020.4
主分类号 ：
F42C19/08
IPC分类号 ：
F42C19/08
IPC结构图谱
F
F部——机械工程；照明；加热；武器；爆破
F42
弹药；爆破
F42C
弹药引信
F42C
弹药引信
F42C19/00
引信的零部件
F42C19/08
底火
法律状态
2020-01-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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